企业简介
![天津西美半导体材料有限公司](http://img.czvv.com/logo/543bed90e4b06b7f50ead240/543bed90e4b06b7f50ead240.png)
天津西美半导体材料有限公司的工商信息
- 120193000069329
- 91120116055257938L
- 存续
- 有限责任公司
- 2012-10-10
- 王翠彬
- 500万元
- 2012-10-10 至 永久
- 天津市滨海新区市场和质量监督管理局
- 天津华苑产业区海泰发展六道6号海泰绿色产业基地G座401室-04-24
- 光机电一体化技术开发、咨询、服务、转让;电子元器件、机械设备批发兼零售;从事货物及技术的进出口业务;以下限分支机构经营:半导体抛光材料制造。(以上经营范围涉及行业许可的凭许可证件,在有效期限内经营,国家有专项专营规定的按规定办理。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
天津西美半导体材料有限公司的商标信息
天津西美半导体材料有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106147616A | 溶剂型表面改性氧化铝抛光液的制备方法 | 2016.11.23 | 溶剂型表面改性氧化铝抛光液的制备方法,其特征在于:该制备方法首先对氧化铝颗粒进行粒径分级,再加入分散 |
2 | CN205613356U | 氧化铝抛光液配置装置 | 2016.10.05 | 本实用新型公开了一种氧化铝抛光液配置装置,该装置包括用于配制氧化铝抛光液的物料桶、搅拌装置、粒径分级 |
3 | CN104559796A | 应用于超硬表面的表面改性氧化铝抛光液的制备方法 | 2015.04.29 | 应用于超硬表面的表面改性氧化铝抛光液的制备方法,其特征在于:该制备方法首先制备所需的特定改性剂,再用 |
4 | CN104178034A | 一种锗抛光液 | 2014.12.03 | 本发明公开了一种用于锗晶片的高效、pH值稳定的抛光液组合物,其组成成分是所占重量百分比为:磨料1%- |
5 | CN104178033A | 纳米二氧化铈抛光液组合物 | 2014.12.03 | 本发明提供了一种适用于水晶、光掩模用石英玻璃、半导体装置、玻璃制硬盘、硅氧烷类等的半导体装置的层间绝 |
6 | CN104178367A | 蓝宝石衬底用去蜡清洗剂 | 2014.12.03 | 本发明涉及一种蓝宝石衬底用去蜡清洗剂的制备方法,其特征在于:所述蓝宝石衬底用去蜡清洗剂含有淀粉糖苷表 |
7 | CN104109480A | 双面抛光机用蓝宝石衬底抛光液 | 2014.10.22 | 本发明涉及一种双面抛光机用蓝宝石衬底抛光液,其特征在于:所述蓝宝石衬底抛光液是专门针对双面抛光机使用 |
8 | CN103897605A | 单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液 | 2014.07.02 | 本发明涉及一种单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液,其特征在于:所述单面抛光机用蓝宝石衬底抛光液是专门针对单 |
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